H7P0601DL データシート, Renesas Electronics H7P0601DL PDF

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H7P0601DL データシート - Renesas Electronics

部品番号

H7P0601DL

コンポーネント説明

Silicon P-Channel MOS FET High Speed Power Switching

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メーカー

Renesas Electronics

Features
• Low on-resistance
RDS(on) = 40 mΩ typ.
• Low drive current
• 4.5 V gate drive device can driven from 5 V source

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部品番号

コンポーネント説明

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メーカー

2SJ529S

Silicon P-Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SJ546

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SJ505

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H7P1002DL

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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