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H7P1002DL データシート - Renesas Electronics

H7P1002DL image

部品番号
H7P1002DL

コンポーネント説明
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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105.1 kB

メーカー
Renesas
Renesas Electronics Renesas

Features
• Low on-resistance RDS(on) = 85 mΩ typ.
• Low drive current
• 4.5 V gate drive device can driven from 5 V source

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部品番号
コンポーネント説明
PDF
メーカー
2SJ529S
Silicon P-Channel MOS FET High Speed Power Switching
ビュー
KEXIN Industrial
2SJ546
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
ビュー
Hitachi -> Renesas Electronics
2SJ505
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
ビュー
Hitachi -> Renesas Electronics
2SJ534
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
ビュー
Hitachi -> Renesas Electronics
2SJ540
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
ビュー
Hitachi -> Renesas Electronics
2SJ542
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
ビュー
Hitachi -> Renesas Electronics
2SJ544
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
ビュー
Renesas Electronics
2SJ506S
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
ビュー
KEXIN Industrial
H7P0601DL
Silicon P-Channel MOS FET High Speed Power Switching
ビュー
Renesas Electronics
2SJ496
Silicon P-Channel MOS FET High Speed Power Switching
ビュー
Hitachi -> Renesas Electronics

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