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J553 データシート - Renesas Electronics

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部品番号
J553

コンポーネント説明
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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メーカー
Renesas
Renesas Electronics Renesas

•  Low on-resistance  RDS(on)= 0.028Ω typ.

•  Low drive current.

•  4V gate drive devices.

•  High speed switching.

J553

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部品番号
コンポーネント説明
PDF
メーカー
2SJ529S
Silicon P-Channel MOS FET High Speed Power Switching
ビュー
KEXIN Industrial
2SJ546
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
ビュー
Hitachi -> Renesas Electronics
2SJ505
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
ビュー
Hitachi -> Renesas Electronics
2SJ534
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
ビュー
Hitachi -> Renesas Electronics
2SJ540
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
ビュー
Hitachi -> Renesas Electronics
2SJ542
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
ビュー
Hitachi -> Renesas Electronics
2SJ544
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
ビュー
Renesas Electronics
2SJ506S
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
ビュー
KEXIN Industrial
H7P0601DL
Silicon P-Channel MOS FET High Speed Power Switching
ビュー
Renesas Electronics
2SJ496
Silicon P-Channel MOS FET High Speed Power Switching
ビュー
Hitachi -> Renesas Electronics

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