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J550 データシート - Hitachi -> Renesas Electronics

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部品番号
J550

コンポーネント説明
Silicon P-Channel MOS FET High Speed Power Switching

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メーカー
Hitachi
Hitachi -> Renesas Electronics Hitachi

Features
• Low on-resistance
RDS(on) = 0.075Ω typ.
• Low drive current.
• 4V gate drive devices.
• High speed switching.

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部品番号
コンポーネント説明
PDF
メーカー
2SJ529S
Silicon P-Channel MOS FET High Speed Power Switching
ビュー
KEXIN Industrial
2SJ546
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
ビュー
Hitachi -> Renesas Electronics
2SJ505
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
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Hitachi -> Renesas Electronics
2SJ534
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
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Hitachi -> Renesas Electronics
2SJ540
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
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Hitachi -> Renesas Electronics
2SJ542
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
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Hitachi -> Renesas Electronics
2SJ544
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
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Renesas Electronics
2SJ506S
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
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KEXIN Industrial
H7P0601DL
Silicon P-Channel MOS FET High Speed Power Switching
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Renesas Electronics
2SJ496
Silicon P-Channel MOS FET High Speed Power Switching
ビュー
Hitachi -> Renesas Electronics

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