CPD96V(2006) データシート - Central Semiconductor
部品番号
CPD96V
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122.8 kB
メーカー
Central Semiconductor
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 20 x 20 MILS
Die Thickness 7.1 MILS
Anode Bonding Pad Area 16 x 16 MILS
Top Side Metalization Al - 20,000Å
Back Side Metalization Au - 12,000Å
部品番号
コンポーネント説明
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メーカー
Schottky Diode High Current, Low VF Schottky Diode Chip ( Rev : 2006 )
Central Semiconductor
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