CPD109R データシート - Central Semiconductor
部品番号
CPD109R
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618.9 kB
メーカー
Central Semiconductor
PROCESS DETAILS
Die Size 8.3 x 8.3 MILS
Die Thickness 3.9 MILS
Anode Bonding Pad Area 5.4 x 5.4 MILS
Top Side Metalization Al - 20,000Å
Back Side Metalization Au - 12,000Å
部品番号
コンポーネント説明
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メーカー
Schottky Diode High Current, Low VF Schottky Diode Chip ( Rev : 2006 )
Central Semiconductor
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