CP229 データシート, Central Semiconductor CP229 PDF

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CP229 データシート - Central Semiconductor

部品番号

CP229

コンポーネント説明

Small Signal Transistors NPN - RF Transistor Chip

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メーカー

Central Semiconductor

PROCESS DETAILS

Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 21.7 x 21.7 MILS
Die Thickness 8.7 MILS
Base Bonding Pad Area 3.2 MILS Diameter
Emitter Bonding Pad Area 3.4 x 3.4 MILS
Top Side Metalization Al - 10,000Å
Back Side Metalization Au - 10,000Å

部品番号

コンポーネント説明

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メーカー

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Small Signal Transistor NPN - RF Transistor Chip ( Rev : 2002 )

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