CP192 データシート - Central Semiconductor
部品番号
CP192
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メーカー
Central Semiconductor
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 13 x 17 MILS
Die Thickness 9.0 MILS
Base Bonding Pad Area 3.0 X 3.0 MILS
Emitter Bonding Pad Area 3.0 X 3.0 MILS
Top Side Metalization Al - 30,000Å
Back Side Metalization Au - 18,000Å
部品番号
コンポーネント説明
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メーカー
Small Signal Transistor NPN - Amp/Switch Transistor Chip ( Rev : 2002 )
Central Semiconductor
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