CP191 データシート - Central Semiconductor
部品番号
CP191
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216.8 kB
メーカー
Central Semiconductor
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 16.5 x 16.5 MILS
Die Thickness 9.0 MILS
Base Bonding Pad Area 3.5 x 4.3 MILS
Emitter Bonding Pad Area 3.5 x 4.3 MILS
Top Side Metalization Al - 30,000Å
Back Side Metalization Au - 18,000Å
部品番号
コンポーネント説明
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