BD633 データシート - New Jersey Semiconductor
部品番号
BD633
コンポーネント説明
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メーカー
New Jersey Semiconductor
DESCRIPTION
• DC Current Gain - : hFE = 40(Min.)@ IC= 25mA
• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 45V(Min.)
• Complement to Type BD634
APPLICATIONS
• Designed for amplifier and switching applications.
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