B1430 データシート - New Jersey Semiconductor
部品番号
B1430
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メーカー
New Jersey Semiconductor
DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -100V(Min)
• High DC Current Gain-
: hFE= 2000(Min)@ (VCE= -2V, IC= -2A)
• Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= -1.5V(Max)@ (IC= -2A, IB= -2mA)
APPLICATIONS
• Designed for low-frequency power amplifiers and low speed switching applications.
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