2SB1341 データシート - New Jersey Semiconductor
部品番号
2SB1341
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メーカー
New Jersey Semiconductor
DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V(Min)
• High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, IC= -2A)
APPLICATIONS
• Designed for power amplifier applications.
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コンポーネント説明
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