2SB557 データシート - New Jersey Semiconductor
部品番号
2SB557
コンポーネント説明
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メーカー
New Jersey Semiconductor
DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min)
• High Power Dissipation- : PC= 80W(Max)@TC=25℃
• Complement to Type 2SD427
APPLICATIONS
• Designed for power amplifier applications.
• Recommended for 50W high-fidelity audio frequency amplifier output stage.
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