STB13NM60N データシートの表示（PDF） - STMicroelectronics

部品番号

コンポーネント説明

一致するリスト

STB13NM60N

N-channel 600 V, 0.28 Ω typ., 11 A MDmesh™ II Power MOSFETs in D²PAK and DPAK packages

STMicroelectronics 

Electrical characteristics

Figure 14. Source-drain diode forward

characteristics

VSD

(V)

TJ=-50°C

AM09290v1

1.2

TJ=25°C

1.0

0.8

TJ=150°C

0.6

0.4

0

2

4

6

8 10 ISD(A)

STB13NM60N, STD13NM60N

8/24

DocID024095 Rev 3

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