P4C1024L データシートの表示（PDF） - Performance Semiconductor

部品番号

コンポーネント説明

一致するリスト

P4C1024L

LOW POWER 128K x 8 CMOS STATIC RAM

Performance Semiconductor 

P4C1024L

DATA RETENTION

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min

VDR

V for Data Retention

CC

CE

1

≥

VCC

-0.2V,

CE2

≤

0.2V,

2.0

VIN ≥ VCC -0.2V or VIN ≤ 0.2V

I (1)

CCDR

Data Retention Current

VDR = 2.0V

VDR = 3.0V

tCDR

Chip Deselect to Data

See Retention Waveform

0

Retention Time

tR

Operating Recovery Time

5

1.

CE

1

≥

VDR

-0.2V,

CE2

≥

VDR

-0.2V

or

CE2

≤

0.2V;

or

CE

1

≤

0.2V,

CE2

≤

0.2V;

VIN

≥

VDR

-0.2V

or

VIN

≤

0.2V

Max Unit

5.5 V

30 µA

50 µA

ns

ms

LOW VCC DATA RETENTION WAVEFORM 1 (CE1 CONTROLLED)

VCC

CE1

4.5V

tCDR

2.2V

Data Retention Mode

VDR

CE1≥ VDR -0.2V

4.5V

tR

2.2V

LOW V DATA RETENTION WAVEFORM 2 (CE CONTROLLED)

CC

2

VCC

CE2

4.5V

tCDR

VIL 2.2V

Data Retention Mode

VDR

CE2 ≤ 0.2V

4.5V

tR

VIL

157

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