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K1382 データシート - Toshiba

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部品番号
K1382

コンポーネント説明

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メーカー
Toshiba
Toshiba Toshiba

Relay Drive, Motor Drive and DC−DC Converter Applications

* 4-V gate drive
* Low drain−source ON resistance  : RDS (ON)= 15 mΩ(typ.)
* High forward transfer admittance  : |Yfs| = 47 S (typ.)
* Low leakage current  : IDSS= 100 μA (max) (VDS= 100 V)
* Enhancement mode  : Vth= 0.8 to 2.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)

K1382

K1382

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部品番号
コンポーネント説明
PDF
メーカー
Silicon N Channel MOS Type / FET
Toshiba
Silicon N Channel MOS Type FET
Toshiba
N Channel MOS TYPE / FET
Toshiba
N-CHANNEL ENHANCEMENT TYPE MOS-FET
Unspecified
Silicon N-channel MOS FET
Panasonic Corporation
Silicon N-Channel MOS FET
Renesas Electronics
Silicon N-Channel MOS FET
Renesas Electronics
Silicon N-Channel MOS FET
Hitachi -> Renesas Electronics
Silicon N-Channel MOS FET
New Jersey Semiconductor
Silicon N-Channel MOS FET
Renesas Electronics

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