K12A45D データシート, Toshiba K12A45D PDF

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K12A45D(2010) データシート - Toshiba

部品番号

K12A45D

コンポーネント説明

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π -MOSⅦ)

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メーカー

Toshiba

Switching Regulator Applications

• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.43 Ω (typ.)
• High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 5.5 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 450 V)
• Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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部品番号

コンポーネント説明

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メーカー

SSM3K329R

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( Rev : 2010 )

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Toshiba

SSM6K202FE

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( Rev : 2007 )

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Toshiba

SSM6N35FE

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( Rev : 2008 )

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Toshiba

SSM6K404TU

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( Rev : 2007 )

ビュー

Toshiba

SSM3K324R

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( Rev : 2012 )

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Toshiba

SSM6N37CTD

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

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Toshiba

SSM6N43FU

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

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Toshiba

SSM6N29TU

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

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Toshiba

SSM3K123TU

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

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Toshiba

SSM3K301T

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( Rev : 2007 )

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Toshiba

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