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K10A50D データシート - Toshiba

K10A50D image

部品番号
K10A50D

コンポーネント説明
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

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メーカー
Toshiba
Toshiba Toshiba

K10A50D

 

Official Site : //www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=TK10A50D&lang=en
 

•  Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 0.62 Ω(typ.)


•  High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪= 5.0 S (typ.)


•  Low leakage current: IDSS= 10 μA (max) (VDS= 500 V)


•  Enhancement mode: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)

 

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部品番号
コンポーネント説明
PDF
メーカー
SSM3K329R
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( Rev : 2010 )
ビュー
Toshiba
SSM6K202FE
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( Rev : 2007 )
ビュー
Toshiba
SSM6N35FE
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( Rev : 2008 )
ビュー
Toshiba
SSM6K404TU
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( Rev : 2007 )
ビュー
Toshiba
SSM3K324R
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( Rev : 2012 )
ビュー
Toshiba
SSM6N37CTD
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type
ビュー
Toshiba
SSM6N43FU
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
ビュー
Toshiba
SSM6N29TU
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
ビュー
Toshiba
SSM3K123TU
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type
ビュー
Toshiba
SSM3K301T
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( Rev : 2007 )
ビュー
Toshiba

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