IXTP8N65X2M データシート - Inchange Semiconductor
部品番号
IXTP8N65X2M
コンポーネント説明
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メーカー
Inchange Semiconductor
• FEATURES
• High power dissipation
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤ 550mΩ@VGS=10V
• 100% avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
• APPLICATION
• DC/DC Converters
• High Current Switching Applications
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