ISCN160P データシート - Inchange Semiconductor
部品番号
ISCN160P
コンポーネント説明
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メーカー
Inchange Semiconductor
DESCRIPTION
• High Collector-Base Breakdown Voltage-
: V(BR)CBO= 900V(Min)
• Fast Switching Speed
• Wide Area of Safe Operation
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
• Designed for switching regulator applications.
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