IRF440 データシート - New Jersey Semiconductor
部品番号
IRF440
コンポーネント説明
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メーカー
New Jersey Semiconductor
FEATURES
• Low Boston) at high voltage
• Improved Inductive ruggedness
• Excellent high voltage stability
• Fast switching times
• Rugged polyslllcon gate cell structure
• Low Input capacitance
• Extended safe operating area
• Improved high temperature reliability
• TO-3 package (High voltage)
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