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CPD41(2002) データシート - Central Semiconductor

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部品番号
CPD41

コンポーネント説明
Switching Diode High Current Switching Diode Chip

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メーカー
Central-Semiconductor
Central Semiconductor Central-Semiconductor

PROCESS DETAILS
   Process EPITAXIAL PLANAR
   Die Size 20 x 20 MILS
   Die Thickness 8.0 MILS
   Anode Bonding Pad Area 6.5 x 6.5 MILS
   Top Side Metalization Al - 30,000Å
   Back Side Metalization Au - 12,000Å


部品番号
コンポーネント説明
PDF
メーカー
CPD93V
Switching Diode High Current Switching Diode Chip
ビュー
Central Semiconductor
CPD89V
Switching Diode High Current Diode Chip
ビュー
Central Semiconductor
CPD63
Switching Diode High Speed Switching Diode Chip
ビュー
Central Semiconductor
CPD83V
Switching Diode High Speed Switching Diode Chip ( Rev : 2005 )
ビュー
Central Semiconductor
CPD83V
Switching Diode High Speed Switching Diode Chip
ビュー
Central Semiconductor
CPD80V
Switching Diode High Voltage Switching Diode Chip ( Rev : 2004 )
ビュー
Central Semiconductor
CPD80V
Switching Diode High Voltage Switching Diode Chip
ビュー
Central Semiconductor
CMPD1001
HIGH CURRENT SWITCHING DIODE
ビュー
Central Semiconductor Corp
BAS56
DUAL HIGH CURRENT SWITCHING DIODE
ビュー
Central Semiconductor
BGX50A
High-speed switching diode chip
ビュー
Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

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