CP349 データシート - Central Semiconductor
部品番号
CP349
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メーカー
Central Semiconductor
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 51 x 51 MILS
Die Thickness 9.1 MILS
Base Bonding Pad Area 7.9 x 15.7 MILS
Emitter Bonding Pad Area 7.9 x 15.7 MILS
Top Side Metalization Al - 30,000Å
Back Side Metalization Ti/Ni/Ag - 2000Å/3000Å/20000Å
部品番号
コンポーネント説明
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メーカー
Small Signal Transistor NPN - High Voltage Transistor Chip ( Rev : 2010 )
Central Semiconductor
Small Signal Transistor NPN - High Voltage Transistor Chip ( Rev : 2005 )
Central Semiconductor
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