CP341V データシート - Central Semiconductor
部品番号
CP341V
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379.8 kB
メーカー
Central Semiconductor
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 18 x 18 MILS
Die Thickness 7.1 MILS
Base Bonding Pad Area 3.8 x 3.8 MILS
Emitter Bonding Pad Area 3.8 x 3.8 MILS
Top Side Metalization Al/Si - 30,000Å
Back Side Metalization Au - 12,000Å
部品番号
コンポーネント説明
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メーカー
Small Signal Transistors PNP - Low VCE(SAT) Transistor Chip ( Rev : 2006 )
Central Semiconductor
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