CP307 データシート, Central Semiconductor CP307 PDF

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CP307 データシート - Central Semiconductor

部品番号

CP307

コンポーネント説明

Small Signal Transistor NPN - Silicon Darlington Transistor Chip

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2002

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メーカー

Central Semiconductor

PROCESS DETAILS

Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 27 x 27 MILS
Die Thickness 9.0 MILS
Base Bonding Pad Area 5.3 x 3.8 MILS
Emitter Bonding Pad Area 5.3 x 6.5 MILS
Top Side Metalization Al - 30,000Å
Back Side Metalization Au - 18,000Å

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部品番号

コンポーネント説明

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CP329V

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