BD951 データシート - New Jersey Semiconductor
部品番号
BD951
コンポーネント説明
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メーカー
New Jersey Semiconductor
DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 80V(Min)
• DC Current Gain-
: hFE= 40(Min)@ IC= 500mA
• Complement to Type BD952
APPLICATIONS
• Designed for power amplifier and switching applications
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