BD635 データシート - New Jersey Semiconductor
部品番号
BD635
コンポーネント説明
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メーカー
New Jersey Semiconductor
DESCRIPTION
• DC Current Gain -
: hFE = 40(Min.)@ lc=25mA
• Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 60V(Min.)
• Complement to Type BD636
APPLICATIONS
• Designed for amplifier and switching applications
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