2SD999 データシート - Galaxy Semi-Conductor
部品番号
2SD999
コンポーネント説明
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メーカー
Galaxy Semi-Conductor
FEATURES
● Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)<0.4V( IC=1.0A,IB =100mA)
● Excellent DC Current Gain Linearity: hFE=140Typ.( VCE=1.0V, IC=1.0A)
● Complements to PNP type 2SB798
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