2SD1070 データシート - Inchange Semiconductor
部品番号
2SD1070
コンポーネント説明
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メーカー
Inchange Semiconductor
DESCRIPTION
◾ Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 100V(Min.)
◾ Good Linearity of hFE
◾ Wide Area of Safe Operation
◾ Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
◾ Designed for high power amplifier applications.
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