2SB723 データシート - New Jersey Semiconductor
部品番号
2SB723
コンポーネント説明
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メーカー
New Jersey Semiconductor
DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEo= -200V(Min)
• High Power Dissipation-
: Pc= 150W(Max)@Tc=25°C
• High Current Capability
• Complement to Type 2SD753
APPLICATIONS
• Designed for power amplifier applications.
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