2SB514 データシート - New Jersey Semiconductor
部品番号
2SB514
コンポーネント説明
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メーカー
New Jersey Semiconductor
DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEo= -50(Min)
• Low Collector-Emitter SaturationVoltage
• Complement to Type2SD330
APPLICATIONS
• Suited for use in output stage of 10WAF power amplifier.
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