2SB1189 データシート, Galaxy Semi-Conductor 2SB1189 PDF

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2SB1189 データシート - Galaxy Semi-Conductor

部品番号

2SB1189

コンポーネント説明

Medium power transistor(-80V,-0.7A)

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メーカー

Galaxy Semi-Conductor

FEATURES
● High breakdown voltage,BVCEO=-80V,
And high current,IC=-0.7A.
● Complementary the 2SD1767.

部品番号

コンポーネント説明

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メーカー

2SB1189

Medium power transistor(80V, 0.7A)

ビュー

ROHM Semiconductor

2SD1767T100P

Medium power transistor (80V, 0.7A)

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2SD1767

Medium power transistor(80V,0.7A)

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Galaxy Semi-Conductor

2SB1238TV2P

Medium power transistor(-80V, -0.7A)

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ROHM Semiconductor

2SAR514PFRA

Middle Power Transistor (-80V / -0.7A)

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ROHM Semiconductor

2SCR514PFRA

Middle Power Transistor (80V / 0.7A)

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ROHM Semiconductor

2SAR514P

PNP -0.7A -80V Middle Power Transistor

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ROHM Semiconductor

2SAR514R

PNP -0.7A -80V Middle Power Transistor

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ROHM Semiconductor

2SCR514RHZG

NPN 0.7A 80V Middle Power Transistor

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ROHM Semiconductor

2SAR514RHZG

PNP -0.7A -80V Middle Power Transistor

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ROHM Semiconductor

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