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2SA812 データシート - NEC => Renesas Technology

2SA812 image

部品番号
2SA812

コンポーネント説明
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD

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メーカー
NEC
NEC => Renesas Technology NEC

FEATURES
• Complementary to 2SC1623
• High DC Current Gain: hFE= 200 TYP. (VCE= −6.0 V, IC= −1.0 mA) )
• High Voltage: VCEO= −50 V

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部品番号
コンポーネント説明
PDF
メーカー
2SB624A
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD
ビュー
Renesas Electronics
2SB1115A
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
ビュー
Renesas Electronics
2SB800-T1
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
ビュー
NEC => Renesas Technology
2SB799-T2
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
ビュー
NEC => Renesas Technology
B798
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
ビュー
NEC => Renesas Technology
2SB1114
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
ビュー
NEC => Renesas Technology
2SB800
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
ビュー
Renesas Electronics
2SB1114
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
ビュー
Renesas Electronics
2SB805
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
ビュー
NEC => Renesas Technology
2SB806
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
ビュー
Renesas Electronics

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