2N6766 データシート - IXYS CORPORATION
部品番号
2N6766
コンポーネント説明
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メーカー
IXYS CORPORATION
FEATURES:
• Fast switching times
• Low RDS(on) HDMOS™ process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Excellent high voltage stability
• Low input capacitance
• Improved high temperature reliability
APPLICATIONS:
• Switching power supplies
• Motor controls
• Audio Amplifiers
• Inverters
• Choppers
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部品番号
コンポーネント説明
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メーカー
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series ( Rev : V2 )
IXYS CORPORATION
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