1N5712 データシート - Diode Semiconductor Korea
部品番号
1N5712
コンポーネント説明
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メーカー
Diode Semiconductor Korea
FEATURES
◇ Metal-to-silicon junction
◇ High breakdown voltage
◇ Low turn-on voltage
◇ Ultrafast switching speed
◇ Prmarly intended for high level UHF/VHF detection and pulse applications with broad dynamic range
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