11N60S5(2009) データシート - Infineon Technologies
部品番号
11N60S5
コンポーネント説明
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12 Pages
File Size
444.5 kB
メーカー
Infineon Technologies
Cool MOS™ Power Transistor
FEATURE
• New revolutionary high voltage technology
• Ultra low gate charge
• Periodic avalanche rated
• Extreme dv/dt rated
• Ultra low effective capacitances
• Improved transconductance
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Qualified according to JEDEC0) for target applications
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