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部品番号(s) : 2SC3302 C3302
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial PLANAR Type
部品番号(s) : 2SC5336 C5336 2SC5336-T1 C5336-T1
NEC => Renesas Technology
コンポーネント説明 : NPN Silicon Transistor
部品番号(s) : MP4304
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN Epitaxial Type (high gain Power Transistor 4 in 1) (Rev - 2002)
部品番号(s) : 2SC3419 C3419
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT PROCESS) (Rev - 1997)
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA Transistor Silicon NPN TRIPLE DIFFUSED Type
部品番号(s) : 2SC2166 C2166
New Jersey Semiconductor
コンポーネント説明 : Silicon NPN Power Transistor Final RF Power Output
部品番号(s) : 2SC1590 C1590
Unspecified
コンポーネント説明 : Silicon NPN Transistor RF Power Output
部品番号(s) : 2SD688 D688
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial (PCT PROCESS) (DARLINGTON Power)
部品番号(s) : NE85633 2SC3356-T1B-A 2SC3356-T1B 2SC3356-A C3356 2SC3356 NE85633-A NE85633-T1B NE85633-T1B-A
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : NPN Silicon RF Transistor
部品番号(s) : CZT3150
Central Semiconductor
コンポーネント説明 : SURFACE MOUNT NPN Silicon Power Transistor (Rev - 2004)
部品番号(s) : CXT3150
Central Semiconductor
コンポーネント説明 : SURFACE MOUNT NPN Silicon Power Transistor (Rev - 2005)
部品番号(s) : 2SC3603 C3603
NEC => Renesas Technology
コンポーネント説明 : NPN Epitaxial Silicon Transistor FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION
部品番号(s) : NTE342
NTE Electronics
コンポーネント説明 : Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 6W, 175MHz)
部品番号(s) : C3603 2SC3603
eleflow technologies co., ltd.
コンポーネント説明 : NPN Epitaxial Silicon Transistor FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION
部品番号(s) : 2SC3379 C3379
MITSUBISHI ELECTRIC
コンポーネント説明 : NPN Epitaxial PLANAR Type (RF Power Transistor)
部品番号(s) : MP4101
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN Epitaxial Type (DARLINGTON Power Transistor 4 IN 1) (Rev - 2000)