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部品番号(s) : SSD20N15-250D
Secos Corporation.
コンポーネント説明 : N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 12A, 150V, RDS(ON) 255mΩ
部品番号(s) : EMH2604 EMH2604-TL-H
ON Semiconductor
コンポーネント説明 : Power MOSFET
部品番号(s) : CED12P15 CEU12P15
Chino-Excel Technology
コンポーネント説明 : P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
部品番号(s) : ECH8656 ECH8656-TL-H
ON Semiconductor
コンポーネント説明 : N-Channel Power MOSFET 20V, 7.5A, 17mΩ, Dual ECH8
部品番号(s) : ECH8656 ECH8656-TL-H
SANYO -> Panasonic
コンポーネント説明 : General-Purpose Switching Device Applications
部品番号(s) : FL10KM-12A FL10KM-12
Powerex
コンポーネント説明 : NCh POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
部品番号(s) : ECH8656
SANYO -> Panasonic
コンポーネント説明 : General-Purpose Switching Device Applications (Rev - 2011)
部品番号(s) : MCH6663 MCH6663-TL-H
SANYO -> Panasonic
コンポーネント説明 : N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs
コンポーネント説明 : Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode
(Rev - 2007)
部品番号(s) : SSM5H01TU
Toshiba
コンポーネント説明 : Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode
部品番号(s) : SSM5H08TU
Toshiba
コンポーネント説明 : Silicon N Channel MOS Type (U-MOSⅢ )/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode
部品番号(s) : SSM5H07TU
Toshiba
コンポーネント説明 : Silicon N Channel MOS Type (π -MOSⅣ )/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode
部品番号(s) : MCH6660 MCH6660-TL-H MCH6660-TL-W
ON Semiconductor
コンポーネント説明 : Power MOSFET 20V, 136mΩ, 2A, –20V, 266mΩ, –1.5A Complementary Dual
部品番号(s) : FL10KM-12A
Renesas Electronics
コンポーネント説明 : NCh Power MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
部品番号(s) : FL10KM-12A
Renesas Electronics
コンポーネント説明 : NCh Power MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE (Rev - 2003)