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部品番号(s) : VS-GP250SA60S
Vishay Semiconductors
コンポーネント説明 : Insulated Gate Bipolar Transistor Trench PT IGBT, 600 V, 250 A
部品番号(s) : VS-GP250SA60S
Vishay Semiconductors
コンポーネント説明 : Insulated Gate Bipolar Transistor Trench PT IGBT, 600 V, 250 A (Rev - 2016)
部品番号(s) : CM1200E4C-34N
Mitsumi
コンポーネント説明 : HIGH POWER SWITCHING USE Insulated TYPE
部品番号(s) : MGP11N60E MGP11N60E_D MGP11N60E/D
Motorola => Freescale
コンポーネント説明 : Insulated Gate Bipolar Transistor
部品番号(s) : MGP4N60E MGP4N80E
Motorola => Freescale
コンポーネント説明 : Insulated Gate Bipolar Transistor
部品番号(s) : MGP11N60E MGP11N60E/D MGP11N60E_D
ON Semiconductor
コンポーネント説明 : Insulated Gate Bipolar Transistor
部品番号(s) : IRG4PC30SPBF
International Rectifier
コンポーネント説明 : Insulated Gate Bipolar Transistor Standard Speed IGBT
部品番号(s) : MGP4N60ED
ON Semiconductor
コンポーネント説明 : Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode
部品番号(s) : MGP11N60ED MGP11N60ED/D MGP11N60ED_D
ON Semiconductor
コンポーネント説明 : Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode
部品番号(s) : IRG4BC40UPBF
International Rectifier
コンポーネント説明 : Insulated Gate Bipolar Transistor UltraFast Speed IGBT (Rev - 2004)
部品番号(s) : IRG4BC40UPBF
International Rectifier
コンポーネント説明 : Insulated Gate Bipolar Transistor UltraFast Speed IGBT
部品番号(s) : 30F123 GT30F123
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA TO-220
部品番号(s) : MGP11N60ED MGP11N60ED/D MGP11N60ED_D
Motorola => Freescale
コンポーネント説明 : Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode
部品番号(s) : NGTB15N135IHRWG
ON Semiconductor
コンポーネント説明 : IGBT with Monolithic Free Wheeling Diode
部品番号(s) : IRG4PC50FPBF
International Rectifier
コンポーネント説明 : Fast Speed IGBT
部品番号(s) : NGTB20N135IHRWG
ON Semiconductor
コンポーネント説明 : IGBT with Monolithic Free Wheeling Diode