P/N +説明+コンテンツ検索
部品番号(s) : SSP7432N
Secos Corporation.
コンポーネント説明 : 27 A, 30 V, RDS(ON) 4.9 mΩ N-Channel Enhancement MOSFET (Rev - 2010)
部品番号(s) : SSP7434N
Secos Corporation.
コンポーネント説明 : 27 A, 30 V, RDS(ON) 4.9 mΩ N-Channel Enhancement MOSFET
部品番号(s) : SSP7432N
Secos Corporation.
コンポーネント説明 : 24 A, 30 V, RDS(ON) 4.9 mΩ N-Channel Enhancement MOSFET
部品番号(s) : TPC8303 C8303
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U−MOSII)
部品番号(s) : STT3405P
Secos Corporation.
コンポーネント説明 : -4.9 A, -20 V, RDS(ON) 56 mΩ P-Channel Enhancement Mode MOSFET
部品番号(s) : STT3402N
Secos Corporation.
コンポーネント説明 : 6.3 A, 30 V, RDS(ON) 27 mΩ N-Channel Enhancement Mode Mos.FET
部品番号(s) : FDMS3610S 08OD 07OD
Fairchild Semiconductor
コンポーネント説明 : PowerTrench® Power Stage 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET
部品番号(s) : TPC8401
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (U−MOSII)
部品番号(s) : TPC8402
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (π−MOSVI/U−MOSII)
部品番号(s) : FDB6644 FDP6644
Fairchild Semiconductor
コンポーネント説明 : 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
部品番号(s) : EKI06051
Sanken Electric co.,ltd.
コンポーネント説明 : 60 V, 85 A, 3.9 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET
Renesas Electronics
コンポーネント説明 : SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
部品番号(s) : SKI06048
Sanken Electric co.,ltd.
コンポーネント説明 : 60 V, 85 A, 3.9 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET
部品番号(s) : SI4542D SI4542DY SI4542
Fairchild Semiconductor
コンポーネント説明 : 30V Complementary PowerTrench MOSFET
部品番号(s) : SKI06048
Sanken Electric co.,ltd.
コンポーネント説明 : 60 V, 85 A, 3.9 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET (Rev - 2014_01)
部品番号(s) : EKI06051
Sanken Electric co.,ltd.
コンポーネント説明 : 60 V, 85 A, 3.9 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET (Rev - 2014_01)
部品番号(s) : SSP7430N
Secos Corporation.
コンポーネント説明 : 17 A, 30 V, RDS(ON) 13.5 mΩ N-Channel Enhancement MOSFET
部品番号(s) : EKI06051
Sanken Electric co.,ltd.
コンポーネント説明 : 60 V, 85 A, 3.9 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET (Rev - 2014_05)
部品番号(s) : SSP7430N
Secos Corporation.
コンポーネント説明 : 17 A, 30 V, RDS(ON) 13.5 mΩ N-Channel Enhancement MOSFET (Rev - 2010)