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部品番号(s) : 2N6784
New Jersey Semiconductor
コンポーネント説明 : 2.25A, 200V, 1.500Ohm, N-Channel Power MOSFET
部品番号(s) : 2N6784
Semelab - > TT Electronics plc
コンポーネント説明 : N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 Metal Package
部品番号(s) : IRFF210
Semelab - > TT Electronics plc
コンポーネント説明 : N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 Metal Package
部品番号(s) : 2N6784
Fairchild Semiconductor
コンポーネント説明 : 2.25A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
部品番号(s) : H12N65 H12N65E H12N65F
Hi-Sincerity Mocroelectronics
コンポーネント説明 : N-Channel Power MOSFET (650V,12A)
部品番号(s) : BLF8G22LS-200V BLF8G22LS-200GV
NXP Semiconductors.
コンポーネント説明 : Power LDMOS transistor
部品番号(s) : STS4DNFS30L 4DFS30L
STMicroelectronics
コンポーネント説明 : N-channel 30 V, 0.044 Ω, 4 A SO-8 STripFET™ MOSFET plus SCHOTTKY rectifier (Rev - 2011)
部品番号(s) : BLF8G20LS-200V
Ampleon
コンポーネント説明 : Power LDMOS transistor
部品番号(s) : BLF8G22LS-200V BLF8G22LS-200GV
Ampleon
コンポーネント説明 : Power LDMOS transistor
部品番号(s) : BLF8G20LS-200V
NXP Semiconductors.
コンポーネント説明 : Power LDMOS transistor
部品番号(s) : IXZR16N60 IXZR16N60A IXZR16N60B
IXYS CORPORATION
コンポーネント説明 : NChannel Enhancement Mode RF MOSFET
部品番号(s) : H12N60 H12N60F
Hi-Sincerity Mocroelectronics
コンポーネント説明 : N-Channel Power MOSFET (600V,12A)
Giga Semiconductor
コンポーネント説明 : 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM
Giga Semiconductor
コンポーネント説明 : 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
部品番号(s) : FX853
SANYO -> Panasonic
コンポーネント説明 : MOSFET:N-Channel Silicon MOSFET SBD:Schottky Barrier Diode
Giga Semiconductor
コンポーネント説明 : 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
部品番号(s) : IRF630N IRF620N IRF630NS IRF630NL
Transys Electronics Limited
コンポーネント説明 : Power MOSFET