R6020JNX データシートの表示（PDF） - ROHM Semiconductor

部品番号

コンポーネント説明

一致するリスト

R6020JNX

Nch 600V 20A Power MOSFET

ROHM Semiconductor 

R6020JNX

　 　 　 　　 　

lThermal resistance

Parameter

Thermal resistance, junction - case

Thermal resistance, junction - ambient

Soldering temperature, wavesoldering for 10s

　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet

　

　 　　　　　　　　　　　　　　　　

Symbol

RthJC

RthJA

Tsold

Values

Unit

Min. Typ. Max.

-

- 1.64 ℃/W

-

- 70 ℃/W

-

- 265 ℃

lElectrical characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Values

Unit

Min. Typ. Max.

Drain - Source breakdown

voltage

V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA

600 -

-

V

Zero gate voltage

drain current

Gate - Source leakage current

Gate threshold voltage

Static drain - source

on - state resistance

Gate resistance

VDS = 600V, VGS = 0V

IDSS

-

- 100 μA

Tj = 25°C

IGSS VGS = ±30V, VDS = 600V -

- ±100 nA

VGS(th) VDS = VGS, ID = 3.5mA 5.0 6.0 7.0 V

RDS(on)*5 VGS = 15V, ID = 10A

Tj = 25°C

- 0.180 0.234 Ω

RG f = 1MHz, open drain

- 2.0 - Ω

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　

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20190111 - Rev.001

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