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FB18N50K   データシート

一致 , 類似
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N/A
後一致
N/A
メーカー
部品番号
コンポーネント説明
PDF
IR
International Rectifier
HEXFET power MOSFET. VDSS = 500V, RDS(on) = 0.26 Ohm, ID = 17A
Match & Start : FB18N50K
ETC
Unspecified
10 Amp. Glass Passivated Bridge Rectifier
Vishay
Vishay Semiconductors
Power MOSFET(Vdss=500V/ Rds(on)max=0.52ohm/ Id=11A)
IR
International Rectifier
HEXFET® Power MOSFET VDSS = 500V, RDS(on) = 0.52 Ohm, ID = 11A
IR
International Rectifier
HEXFET power MOSFET. VDSS = 500V, RDS(on) = 0.26 Ohm, ID = 17A
IR
International Rectifier
HEXFET® Power MOSFET
Vishay
Vishay Semiconductors
Power MOSFET, 190 A
Vishay
Vishay Semiconductors
Power MOSFET, 190 A
NEC
NEC => Renesas Technology
COMPOUND TRANSISTOR
EUPEC
eupec GmbH
IGBT-Modules
Infineon
Infineon Technologies
EasyPIM™ module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC
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