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部品番号(s) : H12N65 H12N65E H12N65F
Hi-Sincerity Mocroelectronics
コンポーネント説明 : N-Channel Power MOSFET (650V,12A)
部品番号(s) : IRS2111STRPBF IRS2111SPBF IRS2111PBF
International Rectifier
コンポーネント説明 : HALF-BRIDGE DRIVER
部品番号(s) : H12N60 H12N60F
Hi-Sincerity Mocroelectronics
コンポーネント説明 : N-Channel Power MOSFET (600V,12A)
部品番号(s) : IXZR16N60 IXZR16N60A IXZR16N60B
IXYS CORPORATION
コンポーネント説明 : NChannel Enhancement Mode RF MOSFET
部品番号(s) : STS4DNFS30L 4DFS30L
STMicroelectronics
コンポーネント説明 : N-channel 30 V, 0.044 Ω, 4 A SO-8 STripFET™ MOSFET plus SCHOTTKY rectifier (Rev - 2011)
部品番号(s) : MG600Q2YS60A
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA IGBT MODULE Silicon N CHANNEL IGBT
部品番号(s) : FX853
SANYO -> Panasonic
コンポーネント説明 : MOSFET:N-Channel Silicon MOSFET SBD:Schottky Barrier Diode
部品番号(s) : MG300J2YS40
Toshiba
コンポーネント説明 : Silicon N CHANNEL IGBT
部品番号(s) : MG25Q2YS40
Toshiba
コンポーネント説明 : GTR MODULE Silicon N CHANNEL IGBT
部品番号(s) : MG25Q6ES42
Toshiba
コンポーネント説明 : GTR MODULE Silicon N CHANNEL IGBT
部品番号(s) : MG300Q1US51
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA GTR MODULE Silicon N CHANNEL IGBT
部品番号(s) : MG600J1US51 MG600
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA GTR MODULE Silicon N CHANNEL IGBT
部品番号(s) : MG300J1US51
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA GTR MODULE Silicon N CHANNEL IGBT
部品番号(s) : MG100Q2YS11
Toshiba
コンポーネント説明 : GTR Module Silicon N-Channel IGBT
部品番号(s) : MG75Q2YS52
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA GTR MODULE Silicon N CHANNEL IGBT
部品番号(s) : MG25J1BS11
Toshiba
コンポーネント説明 : GTR MODULE Silicon N - CHANNEL IGBT
部品番号(s) : MG300Q1US11
Toshiba
コンポーネント説明 : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
部品番号(s) : MG15J6ES40
Toshiba
コンポーネント説明 : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
部品番号(s) : TC2320TG TC2320
Supertex Inc
コンポーネント説明 : N- and P- Channel Enhancement-Mode Dual MOSFET