P/N +説明+コンテンツ検索
部品番号(s) : IRF640N IRF640NL IRF640NS IRF640NSTR
International Rectifier
コンポーネント説明 : N-channel power MOSFET for fast switching applications, 200V, 18A
部品番号(s) : 18N20GI AP18N20GI
Advanced Power Electronics Corp
コンポーネント説明 : N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE power MOSFET
部品番号(s) : H12N65 H12N65E H12N65F
Hi-Sincerity Mocroelectronics
コンポーネント説明 : N-Channel power MOSFET (650V,12A)
Fairchild Semiconductor
コンポーネント説明 : N-Channel power MOSFETs, 18A, 150-200V
部品番号(s) : FX853
SANYO -> Panasonic
コンポーネント説明 : MOSFET:N-Channel Silicon MOSFET SBD:Schottky Barrier Diode
部品番号(s) : RF1S640SM RF1S640SM9A IRF640 RF1S640
Fairchild Semiconductor
コンポーネント説明 : 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel power MOSFETs (Rev - 2002)
部品番号(s) : RF1S640SM RF1S640 IRF640 RF1S640SM9A
ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.
コンポーネント説明 : 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel power MOSFETs
部品番号(s) : H12N60 H12N60F
Hi-Sincerity Mocroelectronics
コンポーネント説明 : N-Channel power MOSFET (600V,12A)
部品番号(s) : STS4DNFS30L 4DFS30L
STMicroelectronics
コンポーネント説明 : N-channel 30 V, 0.044 Ω, 4 A SO-8 STripFET™ MOSFET plus SCHOTTKY rectifier (Rev - 2011)
部品番号(s) : 2SK3160 K3160
SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
コンポーネント説明 : N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
部品番号(s) : STD10NF30
SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
コンポーネント説明 : N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
部品番号(s) : 2SK3003 K3003
SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
コンポーネント説明 : N-Channel MOSFET uses advanced trench technology