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部品番号(s) : UPD5702TU UPD5702TU-E2-A
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : NEC's 2.4 GHz Si LD MOS POWER AMPLIFIER (Rev - 2004)
部品番号(s) : UPD5702
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : NEC's 2.4 GHz Si LD MOS POWER AMPLIFIER
部品番号(s) : UPC8179TB UPC8179TB-E3-A
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : SILICON RFIC LOW CURRENT AMPLIFIER FOR MOBILE COMMUNICATIONS
部品番号(s) : UPD5702TU-A UPD5702TU UPD5702TU-E2-A
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : Si LDMOSFET ANALOG RF INTEGRATED CIRCUIT
部品番号(s) : UPC8204TK UPC8204TK-E2-A
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : NEC's VARIABLE GAIN AMPLIFIER (Rev - 2005)
部品番号(s) : UPD5702 UPD5702TU-E2 UPD5702TU
NEC => Renesas Technology
コンポーネント説明 : 3V OPERATION SILICON LDMOSFET RF POWER AMPLIFIER INTEGRATED CIRCUIT FOR 1.9 GHz PHS AND 2.4 GHz APPLICATIONS
部品番号(s) : NE32500 NE32500N NE32500M
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : NEC's C TO KA BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ FET CHIP
部品番号(s) : NE321000
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET
部品番号(s) : UPC8151TB UPC8151TB-E3-A
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : SILICON RFIC LOW CURRENT AMPLIFIER FOR CELLULAR/CORDLESS TELEPHONES
ROHM Semiconductor
コンポーネント説明 : Flat displays
部品番号(s) : BFP650
Infineon Technologies
コンポーネント説明 : High Linearity Low Noise SiGe:C NPN RF Transistor (Rev - 2010)
部品番号(s) : UPC8179 UPC8179TB UPC8179TB-E3
NEC => Renesas Technology
コンポーネント説明 : SILICON MMIC LOW CURRENT AMPLIFIER FOR MOBILE COMMUNICATIONS
部品番号(s) : SE2598L SE2598L-AK1 SE2598L-R
SiGe Semiconductor, Inc.
コンポーネント説明 : 2.4 GHz POWER AMPLIFIER with POWER Detector
部品番号(s) : MGA-83563 MGA-83563-TR1 MGA-83563-BLK
HP => Agilent Technologies
コンポーネント説明 : +22 dBm PSAT 3V POWER AMPLIFIER for 0.5– 6 GHz Applications
NEC => Renesas Technology
コンポーネント説明 : NEC'S SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
部品番号(s) : MRFIC2403 MRFIC2403R2
Motorola => Freescale
コンポーネント説明 : 2.4 GHz GaAs POWER AMPLIFIER
部品番号(s) : BFP650 BFP650H6327
Infineon Technologies
コンポーネント説明 : High Linearity Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
部品番号(s) : SA2411 SA2411DH
Philips Electronics
コンポーネント説明 : +20 dBm single chip linear AMPLIFIER for WLAN
Avago Technologies
コンポーネント説明 : +22 dBm PSAT 3 V POWER AMPLIFIER for 0.5 – 6 GHz Applications
ROHM Semiconductor
コンポーネント説明 : Flat display / Four colors are available : red, orange, yellow and green.