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部品番号(s) : H12N65 H12N65E H12N65F
Hi-Sincerity Mocroelectronics
コンポーネント説明 : N-Channel Power MOSFET (650V,12A)
部品番号(s) : SI5853DDC-T1-E3 SI5853DDC
Vishay Semiconductors
コンポーネント説明 : P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode (Rev - 2008)
部品番号(s) : SI5855CDC SI5855CDC-T1-E3
Vishay Semiconductors
コンポーネント説明 : P-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode (Rev - 2008)
部品番号(s) : SI5857DU SI5857DU-T1-GE3
Vishay Semiconductors
コンポーネント説明 : P-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode (Rev - 2008)
部品番号(s) : STS4DNFS30L 4DFS30L
STMicroelectronics
コンポーネント説明 : N-channel 30 V, 0.044 Ω, 4 A SO-8 STripFET™ MOSFET plus SCHOTTKY rectifier (Rev - 2011)
部品番号(s) : IXZR16N60 IXZR16N60A IXZR16N60B
IXYS CORPORATION
コンポーネント説明 : NChannel Enhancement Mode RF MOSFET
部品番号(s) : H12N60 H12N60F
Hi-Sincerity Mocroelectronics
コンポーネント説明 : N-Channel Power MOSFET (600V,12A)
部品番号(s) : SIA810DJ SIA810DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
コンポーネント説明 : N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky Diode
部品番号(s) : IRF7328PBF
International Rectifier
コンポーネント説明 : HEXFET® Power MOSFET (Rev - 2004)
Vishay Semiconductors
コンポーネント説明 : P-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Vishay Semiconductors
コンポーネント説明 : P-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
部品番号(s) : SI5857DU SI5857DU-T1-GE3
Vishay Semiconductors
コンポーネント説明 : P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
部品番号(s) : IRF7241PBF
International Rectifier
コンポーネント説明 : HEXFET® Power MOSFET
部品番号(s) : IRF7328PBF
International Rectifier
コンポーネント説明 : HEXFET® Power MOSFET
部品番号(s) : FX853
SANYO -> Panasonic
コンポーネント説明 : MOSFET:N-Channel Silicon MOSFET SBD:Schottky Barrier Diode
Vishay Semiconductors
コンポーネント説明 : P-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode