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検索ワード :
部品番号(s) : HMG40N60A
Unspecified
Unspecified
コンポーネント説明 : 40A, 600V Insulated Gate Bipolar Transistor
部品番号(s) : MG6304WZ
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
コンポーネント説明 : 650V 40A Insulated Gate Bipolar Transistor
部品番号(s) : MG6404WZ
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
コンポーネント説明 : 650V 40A Insulated Gate Bipolar Transistor
部品番号(s) : HMG60N60A HMG60N60T
Unspecified
Unspecified
コンポーネント説明 : 600V Insulated Gate Bipolar Transistor
部品番号(s) : SGL40N150
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
コンポーネント説明 : Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
部品番号(s) : HMG20N60A
Unspecified
Unspecified
コンポーネント説明 : 20A, 600V Insulated Gate Bipolar Transistor
部品番号(s) : SGL40N150D
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
コンポーネント説明 : Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
部品番号(s) : IRG4PC30SPBF
International Rectifier
International Rectifier
コンポーネント説明 : INSULATED Gate Bipolar Transistor Standard Speed IGBT
部品番号(s) : IRG4BC40UPBF
International Rectifier
International Rectifier
コンポーネント説明 : INSULATED Gate Bipolar Transistor UltraFast Speed IGBT (Rev - 2004)
部品番号(s) : IRG4BC40UPBF
International Rectifier
International Rectifier
コンポーネント説明 : INSULATED Gate Bipolar Transistor UltraFast Speed IGBT
部品番号(s) : IRG4PC50FPBF
International Rectifier
International Rectifier
コンポーネント説明 : Fast Speed IGBT
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
コンポーネント説明 : Electrical Characteristics of the IGBT
部品番号(s) : GP250MHB06S
Dynex Semiconductor
Dynex Semiconductor
コンポーネント説明 : Half Bridge IGBT Module
部品番号(s) : G4BC30FD1 IRG4BC30FD1
International Rectifier
International Rectifier
コンポーネント説明 : Fast CoPack IGBT
部品番号(s) : SGF80N60UF
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
コンポーネント説明 : Ultra-Fast IGBT
部品番号(s) : SSM28G45EM
Silicon Standard Corp.
Silicon Standard Corp.
コンポーネント説明 : N-CHANNEL INSULATED-Gate Bipolar Transistor
部品番号(s) : SSM25G45EM
Silicon Standard Corp.
Silicon Standard Corp.
コンポーネント説明 : N-CHANNEL INSULATED-Gate Bipolar Transistor
部品番号(s) : AP25G45GEM
Advanced Power Electronics Corp
Advanced Power Electronics Corp
コンポーネント説明 : N-CHANNEL INSULATED Gate Bipolar Transistor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
コンポーネント説明 : IGBT IN TO–247 14 A @ 90°C 18 A @ 25°C 600 VOLTS SHORT CIRCUIT RATED ON–VOLTAGE
部品番号(s) : AP28G40GEO
Advanced Power Electronics Corp
Advanced Power Electronics Corp
コンポーネント説明 : N-CHANNEL INSULATED Gate Bipolar Transistor
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