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部品番号(s) : 30F126 GT30F126
Toshiba
コンポーネント説明 : 30F126 - LCD Plasma common tube TO-220F
部品番号(s) : 2SC3672 C3672
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (PCT PROCESS)
部品番号(s) : 2SA1091 A1091
Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.
コンポーネント説明 : Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package
部品番号(s) : 2SA1721 A1721
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Rev - 2003)
部品番号(s) : 2SA1721 A1721
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
部品番号(s) : 2SA1721 A1721
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Rev - 2007)
部品番号(s) : 2SA1091 A1091
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type (PCT process) (Rev - 1997)
部品番号(s) : 2SA1091 A1091
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type (PCT process)
部品番号(s) : 2SA1432 A1432
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
部品番号(s) : 2SA1432 A1432
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) (Rev - 1997)
部品番号(s) : 2SA1384 A1384
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA TRANSISTOR SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE (PCT PROCESS) (Rev - 1997)
部品番号(s) : 2SA1384 A1384
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type (PCT process) (Rev - 2011)
部品番号(s) : 2SC3515 C3515
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (PCT PROCESS) (Rev - 1997)
部品番号(s) : CS19-12HO1S-TUBE
IXYS CORPORATION
コンポーネント説明 : High Efficiency Thyristor
部品番号(s) : FMB-2306
Sanken Electric co.,ltd.
コンポーネント説明 : 30A Schottky barrier diode in TO220F package
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
部品番号(s) : 2SC3515 C3515 2SC3515O 2SC3515R
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT process)
部品番号(s) : 2SA1384O 2SA1384R 2SA1384 A1384
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type (PCT process)
部品番号(s) : 2SC2551 C2551
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) (Rev - 1997)