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部品番号(s) : FQI4N25 FQB4N25

Fairchild Semiconductor

コンポーネント説明 : 250V N-Channel MOSFET

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部品番号(s) : FQAF40N25

Fairchild Semiconductor

コンポーネント説明 : 250V N-Channel MOSFET

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部品番号(s) : FQD6N25 FQU6N25

Fairchild Semiconductor

コンポーネント説明 : 250V N-Channel MOSFET

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部品番号(s) : FQA55N25

Fairchild Semiconductor

コンポーネント説明 : 250V N-Channel MOSFET

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部品番号(s) : FQPF6N25

Fairchild Semiconductor

コンポーネント説明 : 250V N-Channel MOSFET

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部品番号(s) : FQPF9N25

Fairchild Semiconductor

コンポーネント説明 : 250V N-Channel MOSFET

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部品番号(s) : IXZR16N60 IXZR16N60A IXZR16N60B

IXYS CORPORATION

コンポーネント説明 : NChannel Enhancement Mode RF MOSFET

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部品番号(s) : GS88237BB-250V GS88237BB-200V GS88237BB-250IV GS88237BB-200IV GS88237BD-250V GS88237BD-200V GS88237BD-250IV GS88237BD-200IV GS88237BGB-250V GS88237BGB-200V

Giga Semiconductor

コンポーネント説明 : 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM

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部品番号(s) : H12N65 H12N65E H12N65F

Hi-Sincerity Mocroelectronics

コンポーネント説明 : N-Channel Power MOSFET (650V,12A)

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部品番号(s) : STS4DNFS30L 4DFS30L

STMicroelectronics

コンポーネント説明 : N-channel 30 V, 0.044 Ω, 4 A SO-8 STripFET™ MOSFET plus SCHOTTKY rectifier (Rev - 2011)

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部品番号(s) : FX853

SANYO -> Panasonic

コンポーネント説明 : MOSFET:N-Channel Silicon MOSFET SBD:Schottky Barrier Diode

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部品番号(s) : GS880Z18BGT-150V GS880Z18BGT-200V GS880Z18BGT-250V GS880Z18BT-150IV GS880Z18BT-150V GS880Z18BT-200IV GS880Z18BT-200V GS880Z18BT-250IV GS880Z18BT-250V GS880Z32BGT-150V

Giga Semiconductor

コンポーネント説明 : 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM

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部品番号(s) : BUZ31

Comset Semiconductors

コンポーネント説明 : POWER MOS TRANSISTORS

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部品番号(s) : GS88118B-XXXV GS88118BD-150IV GS88118BD-150V GS88118BD-200IV GS88118BD-200V GS88118BD-250IV GS88118BD-250V GS88118BD-XXXV GS88118BGD-150IV GS88118BGD-150V

Giga Semiconductor

コンポーネント説明 : 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs

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部品番号(s) : GS816273CC-250IV GS816273CC-250V GS816273CGC-250IV GS816273CGC-250V GS816273CC-250VT GS816273CC-250IVT GS816273CGC-250VT GS816273CGC-250IVT

Giga Semiconductor

コンポーネント説明 : 256K x 72 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs

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部品番号(s) : IRFR214 IRFU214

International Rectifier

コンポーネント説明 : HEXFET® Power MOSFET

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部品番号(s) : GS88037BT-XXXV GS88037BT-250V GS88037BT-200V GS88037BT-250IV GS88037BT-200IV GS88037BGT-250V GS88037BGT-200V GS88037BGT-250IV GS88037BGT-200IV

Giga Semiconductor

コンポーネント説明 : 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAM

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部品番号(s) : GS816218BB-150IV GS816218BB-150V GS816218BB-200IV GS816218BB-200V GS816218BB-250IV GS816218BB-250V GS816218BGB-150IV GS816218BGB-150V GS816218BGB-200IV GS816218BGB-200V

Giga Semiconductor

コンポーネント説明 : 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs

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部品番号(s) : GS881Z18BD-150IV GS881Z18BD-150V GS881Z18BD-200IV GS881Z18BD-200V GS881Z18BD-250IV GS881Z18BD-250V GS881Z18BGD-150V GS881Z18BGD-200V GS881Z18BGD-250V GS881Z18BGT-150IV

Giga Semiconductor

コンポーネント説明 : 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM

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部品番号(s) : GS88218BB-150IV GS88218BB-150V GS88218BB-200IV GS88218BB-200V GS88218BB-250IV GS88218BB-250V GS88218BB-V GS88218BD-150IV GS88218BD-150V GS88218BD-200IV

Giga Semiconductor

コンポーネント説明 : 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs

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